存储芯片行业研究分析:一文读懂存储涨价潮背后的产业逻辑及投资机会(下)

市场消息：日本野村证券2026年1月初发布的客户研究报告，该报告通过渠道调研发现SanDisk计划在2026年一季度(3月期间)将面向企业级SSD的大容量3D NAND闪存芯片价格环比上调超过100%。而早在2025年11月，该公司就已经将NAND合约价格上调了50%。

更为惊人的是，自2025年4月22日的低点算起，SanDisk股价已经累计飙升了1483%，成为美股市场表现最为亮眼的科技股之一。下图为SanDisk股价最近走势图：

备注：前一篇文章介绍了内存DRAM涨价逻辑及投资机会，本文接着聊透闪存NAND芯片，内容较长，欢迎关注收藏。

NAND Flash是一种非易失性存储器技术，主要用于数据存储。它通过电荷的存储与释放来实现数据存储，与传统的DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）不同，NAND Flash在断电后仍能保存数据，且容量极大、成本相对较低。

（一）主要产品类型

NAND Flash按单个Cell单元的数据存储位数划分，可分为SLC（单层式储存，1bit/cell）、MLC（双层式储存，2bit/cell）、TLC（三层式储存，3bit/cell）及 QLC（四层式储存，4bit/cell）四种类型（每代技术提升存储密度约30%）：

（1）SLC性能最优、可靠性最强但成本最高，应甠于工业控制、航天军工等企业级高可靠场景；

（2）MLC性能中高端、稳定性均衡且成本适中，为工业级与车规级SSD主流选型；

（3）TLC原生性能较弱，但凭借低成本+主控算法优化，成为消费级SSD主流；

（4）QLC以高容量密度、低单位成本为核心,推动NAND Flash持续迭代。

当前市场中TLC已成为主流选择，凭借成本与性能的平衡，TLC在消费级SSD市场占据绝对主导地位；高端企业级市场虽仍倾向于TLC方案，但数据中心的归档存储、AI训练数据集等场景已大量采用QLC。

目前PLC（5bit/cell）是NAND闪存最新研发中的一代，预计2026年将开始进入市场，但初期将主要面向企业级和数据中心应用。

（二）3D NAND技术成为市场主流

随着2D NAND Flash的容量提升触及物理极限，3D NAND技术应运而生。NAND Flash每代产品技术的进步在扩大容量和降低成本的同时，可靠性及性能都在下降。3D工艺的出现，打破了传统NAND Flash依赖晶圆平面微缩来提升容量的发展路径，成功突破了行业发展的核心瓶颈。

相较于2D NAND Flash，3D NAND Flash具备容量更大、寿命更长、能耗更低的核心优势。不同于2D NAND Flash的平面结构，3D NAND Flash采取立体设计，可在单Die（裸片）内堆叠更多存储单元，无需依赖制程微缩即可显著提升存储密度与数据容量，同时还能实现性能优化与功耗的大幅下降。

3D NAND技术已取代2D NAND，成为市场主流，2025年3D NAND约占闪存总市场的97.5%。

（三）全球市场格局

1、竞争格局（25Q3五大厂商占比达92%）：

（1）三星：占全球32.3%

（2）SK集团（包含SK海力士及Solidigm）：占全球19%

（3）铠侠：占全球15.3%

（4）美光：占全球13.0%

（5）闪迪：占全球12.4%

2、技术架构路线的分化与影响

在 3D NAND 技术的发展上，各厂商采取了不同的技术路线策略：

（1）三星：采用Cell-on-Periphery (COP)集成技术，将存储单元置于外围电路上方，通过双层堆叠实现超高层结构。2025年已量产286层V9 NAND，预计2026年上半年量产的400+层V10 NAND（原计划2025年底量产）。追求“层数+架构”双领先，但激进策略导致工艺挑战频发。

（2）SK集团：独创4D PUC（Periphery Under Cell）结构，将外围电路置于存储单元下方，减少芯片占用空间。2025年已量产321层QLC NAND，计划2026年初开始量产400层产品，单位晶圆TB容量增加30%。从300层V10开始导入混合键合技术，避免三星式工艺风险。

（3）铠侠：采用BiCS（Bit Cost Scaling，位成本缩放）架构，2023年起应用CBA（CMOS直接键合阵列）技术，将CMOS晶圆与单元阵列晶圆独立制造后键合。2025年已量产218层BiCS 8 NAND，2026年将推出332层产品。稳健推进策略确保良率优势，通过与西部数据联合开发分摊研发成本。

（4）美光：采用CTF CuA架构（Charge Trap Flash，电荷陷阱闪存，用氮化硅绝缘体捕获电子；CMOS-under-Array，CMOS阵列下）。2025年量产232层QLC NAND，G9节点产品已用于企业级SSD，实现3.6GB/s传输速率，较竞品提升50%。可能跳过300层直接进军400层，聚焦高密度、高性能企业级市场。

（5）闪迪：与铠侠共享BiCS架构，2025年BiCS 8工艺量产，18.3Gb/mm位密度在200层级技术中领先；2026年将推出128TB Stargate SSD和256TB Ultra QLC SSD。2026年目标使数据中心成为NAND第一消费端，预计AI相关NAND产品将占全球市场的34%。

当前NAND技术路线分化已超越单纯的技术竞争，成为决定全球存储产业格局的战略选择，这种技术竞争的加剧，或将进一步推动了行业的集中化趋势。随着AI时代数据爆炸式增长，企业级SSD市场将成为技术路线竞争的主战场，而谁能更好地平衡“层数、架构、成本、良率”四大要素，谁就能在未来市场争夺战中占据先机。

（四）中国厂商发展

长江存储作为中国NAND厂商绝对核心龙头，凭借Xtacking架构创新和快速技术迭代，已从全球NAND市场追赶者跃升为技术引领者，成为当之无愧的国产之光：

（1）与国际巨头对比：三星以32%的份额稳居首位，长江存储虽与第一梯队仍有差距，但已成功挤进市场Top6,在由国际巨头主导的市场中站稳脚跟。

（2）国内地位：在中国市场，长江存储的份额已超过30%，成为国产存储芯片的绝对主力。

（3）快速迭代：2019年量产64层NAND，2020年推出128层，2022年实现232层量产，2025年推出294层X4-9070产品，良率超过90%。

（4）技术架构：采用Xtacking架构，将存储单元和外围电路分开制造再键合，通过数十亿根垂直互联通道（VIA）连接两片晶圆，避免传统架构中外围电路占用过多空间的问题。

（5）技术引领：2025年，三星与长江存储达成3D NAND闪存混合键合技术专利许可协议，三星自第10代V-NAND（V10）起采用Xtacking架构，标志着中国技术首次向国际存储巨头输出核心技术。

长江存储的成功不仅在于技术突破，更在于技术路线选择的前瞻性。通过技术架构创新，长江存储跳过了传统NAND技术的跟随阶段，直接进入3D NAND创新前沿，实现了"6年追上15年"的奇迹。在AI驱动的存储市场超级周期中，长江存储有望凭借技术自主和产能扩张双轮驱动，进一步提升全球市场地位，成为全球存储芯片市场不可忽视的“中国力量”。

（五）AI时代NAND供需变化

1、NAND市场需求端的变化

NAND需求市场正在经历爆发性增长，主要有以下两方面原因：

（1）AI数据中心成为核心引擎：数据中心需求预计2026年超越移动端成为最大市场，2024- 2030年复合增长率达32.6%。根据中信证券25年9月研报，到2026年企业级SSD将达到3392 亿GB，同比增长 35%，其中AI服务器企业级SSD 需求将达到2180亿GB，同比增长55%，AI服务器企业级占全球 NAND 需求有望提升至 20%。这种增长速度远超传统IT基础设施的增长速度，成为推动 NAND 需求的核心动力。

AI 数据中心的需求增长具有以下特点：

l单机需求大：一台AI服务器的NAND需求是传统服务器的3-5倍。

l增长速度快：年增长率达50%以上，远超传统服务器的10%左右的增长率。

l价格敏感度低：AI应用对性能的要求极高，对价格的敏感度相对较低。

l持续性强：随着AI应用的普及，这种需求增长将持续多年。

（2）技术驱动因素：AI存储架构的根本性变革。英伟达在2026年CES上发布的ICMSP（推理上下文内存存储平台），标志着AI存储架构的根本性变革。ICMSP是英伟达为Vera Rubin AI平台设计的G3.5层存储解决方案，主要解决大语言模型推理中KV缓存（键值缓存）容量受限问题，将原本需要存放在HBM或DDR中的溢出KV缓存数据卸载到NVMe SSD。

这种架构变革的意义在于，它将3D NAND从传统的“存储设备”重新定义为“内存层级”，使得NAND在AI推理系统中的价值定位发生了根本性变化。正如黄仁勋在CES上所说：“对于存储而言，这完全是一个尚未被满足的市场，这是一个前所未有的市场，并很可能成为全球最大的存储市场，本质上将承载全球AI的工作记忆”。

根据行业数据，到2026年，推理模型的KV缓存容量预计将达到每个并发用户 2-5TB，相比传统推理模型增长20-50倍。

ICMSP架构的实现离不开英伟达最新发布的BlueField-4 DPU（数据处理器）。BlueField-4是ICMSP的核心硬件，它集成了64核Arm Neoverse V2架构的Grace CPU、128GB LPDDR5内存、512GB SSD，以及NVIDIA ConnectX-9 SuperNIC，提供高达800Gb/s的吞吐量。

ICMSP与HBM、DDR的关系

l互补而非替代：ICMSP专注于“冷数据”（历史上下文、低频访问KV缓存），DDR负责“热数据”（高频计算数据、活跃KV缓存），两者各司其职。

l溢出存储机制：只有当HBM和DDR容量不足时，KV缓存才会溢出到ICMSP的SSD中。

lDDR需求仍在增长：英伟达同时在大规模采购DRAM，包括SOCAMM等新型LPDDR5X内存模块，用于其AI服务器，以提供更高带宽和更低功耗。

此外，随着ICMSP技术的成熟和成本的下降，越来越多的企业将选择升级其AI基础设施，这将进一步推动3D NAND需求的增长。

2、NAND市场供给端的变化

（1）产能结构性转移：头部厂商为了追求更高的利润率，三星、SK海力士、美光三大巨头将70%以上产能转向生产HBM，这种产能转移直接导致了普通消费级 NAND的供应紧张，从而导致价格上涨。由于企业级和AI存储产品的毛利率通常比消费级产品高出15-20个百分点，一旦厂商完成了产线的调整，很难再转回消费级产品的生产。这种结构性的产能转移，使得消费级NAND的供应紧张状况将长期存在。

（2）技术迭代良率有待提升：新工艺替换导致2025年全球NAND晶圆产量较2022年峰值下降15%，当前NAND技术路线竞争加剧，各大厂商为了在未来市场争夺战中占据先机，纷纷加速推进新一代高层数产品量产，而新品产能爬坡的过程相对缓慢，无法快速满足市场的爆发性需求。同时，新技术的良率提升也需要时间，初期的高成本和低良率进一步限制了供给的增长。

（3）扩产计划的滞后性：根据TrendForce的研究，NAND产业2026年资本支出仅增长5%至222亿美元，这种增长幅度远低于需求的增长速度。更为重要的是，半导体设备供应链的瓶颈导致新增产能要到2027年才能大规模释放。这种扩产计划的滞后，也为价格上涨提供了支撑。

（六）NAND供需变化对价格的影响

1、价格传导机制与市场影响

（1）一级传导：NAND芯片→存储模组

此环节传导速度最快，近乎即时完成。NAND晶圆厂商涨价会第一时间传导至中游存储模组厂商，包括金士顿、三星存储、佰维存储等企业。由于上游芯片供应的主导性，这些模组厂商需在极短时间内同步调整采购策略与产品定价，以应对成本变化。

（2）二级传导：存储模组→企业级SSD

传导周期相对较短，通常1-2个季度即可完成。企业级SSD的核心客户为数据中心及云服务商，这类客户对价格敏感度较低，但对供应链稳定性有着极高要求。即便面临大幅涨价，为保障业务持续运转，客户也需被动接受价格调整，这一需求特性使得价格传导过程较为顺畅，无明显阻滞。

（3）三级传导：企业级SSD→消费级SSD

传导周期较长，一般需要2-3个季度。消费级SSD市场竞争白热化，厂商在调整价格时，需综合考虑市场份额保有、品牌形象维护等多重因素，因此调价动作更为谨慎。但受产能向企业级市场结构性转移的影响，消费级SSD的供应短缺问题愈发突出，这一供需矛盾为价格上涨提供了强有力的支撑，最终推动价格逐步传导。

（4）四级传导：SSD→终端产品

此环节传导周期最长，通常需3-4个季度。终端厂商在调价时，需充分兼顾市场竞争格局、消费者价格接受度等核心因素，导致价格调整节奏更为缓慢、决策更为审慎。不过从历史市场规律来看，存储成本的上涨压力最终会通过终端产品定价调整，完全传导至消费者层面。

2、供需失衡与价格波动预测

结合当前AI算力需求爆发驱动的供需格局，以及3D NAND技术迭代趋势，基于行业传导规律，对2026-2027年价格走势预测如下：

（1）2026年第一季度（已落地）：价格暴涨态势已成为现实，企业级3D NAND价格环比涨幅超100%，消费级SSD价格上涨40%以上。这一涨幅核心源于头部厂商提价策略，SanDisk作为全球主要NAND供应商，已正式执行价格翻倍策略，叠加三星、SK海力士等巨头同步跟进提价，推动行业进入“超级牛市”阶段，涨幅甚至超越2018年历史高点。

（2）2026年第二、三、四季度：受AI需求驱动和供给收缩影响,涨价趋势仍将延续但涨幅收窄，2026年NAND价格将维持高位。此阶段中游模组及终端厂商将逐步消化上游晶圆厂商价格暴涨带来的成本压力，通过调整定价等方式应对，直至各上游龙头厂商高规格产能量产逐步爬坡，逐步缓解供需缺口。

（3）2027年起：价格可能呈现分化趋势。MLC NAND因供给持续收缩，价格可能继续上涨，涨幅在20%-30%之间。QLC NAND随着SK海力士等厂商产能释放，价格可能开始回落，但受制于AI需求持续增长，回落幅度有限，预计涨幅在10%-15%之间。

（七）中国NAND产业链投资机会

关注标的：

上游材料设备：材料（华特气体）、设备（中微公司、拓荆科技、北方华创）

中游设计制造：设计公司（华大九天），模组（德明利、江波龙、佰维存储），代理商（香农芯创），主控芯片（联芸科技），封测公司（长电科技、通富微电、华海清科），洁净室（亚翔集成、圣晖集成）

下游高增长应用：AI服务器（浪潮信息）、汽车电子等

（八）总结