研报来源：方正证券《半导体行业深度报告：扩产景气叠加协同创新，坚定看好半导体上游环节》

发布机构：方正证券

分析师：马天翼（S1220525040003）、王海维（S1220525040004）、吴家欢（S1220525110003）

发布时间：2026年10月21日

行业评级：推荐

行业基础数据：上市公司总家数183家，总股本1819.17亿股，销售收入7793.40亿元，利润总额446.38亿元，行业平均PE 265.53，平均股价104.88元

一、核心结论

扩产景气叠加协同创新，坚定看好半导体上游环节。需求端设备支出加速增长、新建产能持续投放；供给端先进设备与工艺获取受限，倒逼本土协同创新；技术主线从平面制程微缩转向三维结构创新，设备、零部件、材料三大上游环节均迎来确定性机遇。

一句话：三维结构创新打开设备增量，零部件国产化率仅约8%替代空间最大，材料端存量满产与增量释放共振。

二、核心逻辑：扩产景气 + 协同创新

1. 需求端：设备支出加速增长，新建产能持续投放

据SEMI数据，2026年全球300mm晶圆厂前道设备支出预计达1490亿美元，同比增长31%，并有望保持两位数增长至2029年的2270亿美元

产能落地节奏：2026年全球将有13座新300mm晶圆厂/产线投产或首批晶圆下线，2027年进一步增至23座

新建产能陆续投放，为设备、零部件及材料需求提供持续支撑

2. 供给端：先进设备与工艺获取受限，倒逼本土协同创新

本土晶圆厂难以照搬海外龙头路径，转而从新结构、新工艺、新材料等维度推进创新，更依赖材料、设备、零部件与工艺间的协同优化

这为国产供应链参与联合开发、验证和迭代创造更多机会，既拓展国产替代空间，也在共同定义工艺、深度绑定产线中增强客户黏性

设备开发模式正从参数对标转向联合定义：据北方华创表述，2025年以前国内产业路径依赖较强、设备迭代偏慢；2026年起晶圆厂客户开始主动发起联合攻关，回归底层技术逻辑共同定义设备开发，正向设计占比显著提升

第26届工博会上，华虹集团分别与北方华创、中微公司、盛美上海、华海清科签署战略合作协议，国产晶圆制造与设备端协同进一步深化

三、技术主线：从平面制程微缩转向三维结构创新

芯片性能提升正从平面制程微缩转向三维结构创新，3D化推动竞争维度由单一光刻节点向刻蚀、薄膜、CMP、键合、清洗及量检测等设备环节延伸，相关设备技术门槛与价值量同步抬升。

三大标志性技术路径

华为混合键合路线图

3D DRAM进展

3D DRAM降低对光刻设备依赖，将工艺难点转移到高深宽比刻蚀与沉积工序，为受限于EUV光刻机资源的国产存储厂商提供绕开制程封锁的可行通道。北方华创已开发出面向64层3D DRAM中SiGe/Si多层叠层结构的两步循环刻蚀工艺；长鑫存储2026年披露的五层水平单元堆叠方案采用垂直字线与柱状电容器设计，验证了向64层堆叠扩展的可行性。

四、设备环节：高端化与平台化并进

1. 国产化现状

国产设备已在成熟制程、特色工艺实现规模化应用，主工艺设备基本具备28—14nm能力，并向7—5nm推进，先进制程国产替代攻坚成为主线

晶圆厂对一站式工艺解决方案和全流程设备协同需求提升，头部厂商正推进平台化战略

2. 2026年10月湾芯展重点新品

3. 平台化战略布局

华海清科：构建“装备+服务”平台化格局，产品覆盖CMP装备、减薄/划切磨划装备、离子注入装备与湿法装备，延伸至晶圆再生、关键耗材及维保服务；可提供3D IC全流程一体化解决方案，匹配AI芯片、HBM、Chiplet等量产刚需

中微公司：计划未来3—5年开发102款“补短板、实现赶超”新设备，研发总投资近130亿元；成为国内极少数同时具备刻蚀、薄膜沉积、量检测与湿法四大前道核心工艺能力的平台型企业；拟覆盖60%以上高端半导体设备市场及70%以上先进封装设备市场

拓荆科技：拟以发行股份及支付现金方式，合计25亿元收购无锡尚积100%股权，快速补齐PVD设备与刻蚀设备产品线

北方华创：拟全资收购诺合键维，其在光学对准、补偿算法、机械运动控制、精密震动控制及键合头设计等混合键合核心环节形成关键技术储备，出厂设备已实现纳米级精度对准，相关产品已获重复订单

五、零部件环节：低国产化率叠加供给趋紧，替代窗口加速打开

1. 市场规模与格局

半导体设备成本约有80%至90%为直接材料

据弗若斯特沙利文数据，2025年全球半导体精密零部件市场规模约4288亿元，中国市场规模约1384亿元

全球零部件市场主要被美国、日本企业占据，本土厂商营收体量仍较小

2. 国产化率现状

据臻宝科技公告，国内主流代工厂全年日常运营领用的零部件超2000种，但国产占有率仅约8%，美国、日本占有率分别为59.7%和26.7%

静电卡盘、射频电源、质量流量控制器、真空泵等高端产品仍处国产化初期，制程越先进自主可控程度越低

3. 供需趋紧倒逼本土配套加速

下游扩产已向零部件端传导，设备厂提前锁定供应并增加关键零部件备货，而零部件新增产能释放尚需周期，供需趋紧

海外厂商优先保障海外头部大厂，国产设备厂物料紧缺更突出；北方华创表示受个别供应商物料交付紧张影响，部分订单交付存在一定压力

供给缺口倒逼本土配套加速验证导入，零部件厂商从新设备研发阶段切入协同设计，由“替代”转向“协同创新”，逐步向高端渗透

4. 2025年本土零部件厂商营收与全球市占率

5. 设备厂供应链本土化进展

六、材料环节：存量满产与增量释放共振，需求确定性强

1. 需求驱动逻辑

半导体材料需求与晶圆厂产能及稼动率高度绑定。中芯国际、华虹、长鑫存储、长江存储等本土晶圆厂处于满载运行叠加加速扩产的共振阶段：存量产线高稼动率决定单位时间内材料消耗强度，新建产能逐步释放拓宽中长期空间

稼动率方面，中芯国际、华虹集团、晶合集成等中国大陆主要晶圆厂产线保持满载运行；华虹公司表示2027年需求仍将保持强劲，高稼动率有望延续

2. 产能扩张数据

截至2024年末，中国大陆拥有62座12英寸量产晶圆厂（含西安三星、无锡SK海力士、南京台积电等外资晶圆厂）

预计2026年量产数量将超过70座，产能增至321万片/月，约占届时全球12英寸晶圆产能的1/3；其中以中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储为代表的内资晶圆厂产能将增至约250万片/月

远期看，沪硅产业预计2030年中国大陆12英寸晶圆产能将达450—500万片/月

3. 新技术抬升产能需求

以HBM为例，据SEMI数据，受生产良率、堆叠工艺复杂度及更大芯片尺寸影响，同等存储容量HBM对12英寸晶圆产能的消耗约为主流DRAM的3倍

NAND Flash向200层、300层乃至400层演进，厂商将切换至多片晶圆键合制作1个NAND完整晶圆的工艺，以更多晶圆投入换取性能与容量

4. 供给格局特征

材料端供给格局切换速度慢于需求扩张：材料种类繁多、单一成本占比低，但对良率与可靠性影响显著，晶圆厂更换供应商意愿低，验证周期长、份额爬坡渐进，部分品类还受专用供应系统物理绑定约束

扩产周期中的材料增量优先流向已进入头部晶圆厂供应体系、实现批量稳定供货的厂商；具备多品类覆盖或单品深度渗透能力的企业有望率先承接新建产线增量，份额提升速度快于行业整体量增，有望获得超额增长

5. 国产存储厂商地位

按出货量口径，2026Q2长江存储已位居中国第一、全球第三大NAND厂商

按营收口径，2026Q2长鑫存储占全球DRAM市场10%份额，位列全球第四

两家厂商虽已进入全球前列，但与国际头部相比仍有差距，现有产能难以匹配国内市场需求，加快扩产必要性上升

七、投资主线

八、风险提示

下游终端市场需求不及预期风险

新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险

市场竞争加剧风险

系统性风险等

九、文中提及公司/机构汇总

设备：华海清科、微导纳米、中微公司、拓荆科技、北方华创、盛美上海、屹唐股份、芯源微

零部件：富创精密、先锋精科、江丰电子、珂玛科技、新莱应材、正帆科技、中科仪、托伦斯、臻宝科技、超纯应材、华卓精科、恒运昌、英杰电气、凯德石英、神工股份、高凯技术

材料/晶圆厂：中芯国际、华虹集团、晶合集成、长江存储、长鑫存储、沪硅产业、西安三星、无锡SK海力士、南京台积电

收购/合作标的：诺合键维、无锡尚积

研究机构/数据来源：SEMI、弗若斯特沙利文、臻宝科技公告、何庭波《Huawei's τ Chip Was Supposed to Melt?》

技术/产品：Xtacking®架构、4F²架构、VSG晶体管、华为“韬定律”、混合键合、3D DRAM、iHQ-900E、iMagtron、iTomic® MeT、Primo XD-RIE™、Prefima Unicore™ AM、可流动碳膜、Capi-Carbon、Sedi-Carbon

十、脱水总结

本报告核心观点为“扩产景气叠加协同创新，坚定看好半导体上游环节”，给予行业推荐评级。三条主线为：①设备端受益三维结构创新（刻蚀、薄膜、CMP、键合、清洗、量检测价值量抬升）与平台化战略；②零部件端国产化率仅约8%，供需趋紧倒逼加速验证导入；③材料端受益存量满产与增量释放共振。技术层面重点关注混合键合、3D DRAM、华为“韬定律”等三维结构创新方向。需求端2026年全球300mm晶圆厂前道设备支出预计1490亿美元（+31%），2029年有望达2270亿美元；2026年13座新厂投产、2027年增至23座。国产存储厂商长江存储、长鑫存储已进入全球前列，扩产必要性上升。

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