芯片行业,下半年研报解读

一句话总览

本轮行情由"存储超级周期"主导：涨价从存储向模拟、功率、MCU 全品类扩散，国产设备订单景气"接棒"；9 月起市场从普涨转向结构性分化，机构对后续节奏的分歧明显加大。

一、6月｜超级周期确立，国产存储"双雄"崛起

• 行业定性：2026 上半年全球存储处于"十五年一遇"的超级景气周期，DRAM、NAND 合约价连续两个季度大涨，16GB DDR5、1TB SSD 终端价格同比涨幅均超 130%。
• 国产突破：研报显示长江存储 3D NAND 全球份额突破 13%，长鑫存储成为全球第四大 DRAM 厂商；常规 DRAM 工艺已达国际先进水平，但上游核心设备仍依赖海外，国产替代窗口期打开。
• 涨价扩散：TrendForce 数据显示 NOR Flash、SLC NAND 上半年累计合约价涨幅突破 100%——存储红利开始向"非 AI"品类外溢。
• 资本加码：大基金持续加码存储产业链，国产存储龙头科创板 IPO 注册生效，募资投向产线升级。
• 机构共识：AI 服务器存储刚需＋海外原厂控产保 HBM＋国产替代，三重逻辑共振，板块获增量资金持续追捧。

二、7月｜涨价落进财报，业绩验证开启

• 公司层面验证：北京君正调研纪要显示存储全产品线涨价延续、毛利率持续提升，DRAM 代工产能改善窗口预计要到 2027 下半年——产能紧张大概率跨年。
• 三季度指引：存储模组大厂威刚透露，原厂已通知 Q3 DRAM 合约价再涨 20%–30%、NAND 调涨 35%–40%，上升通道仍在加速。
• 涨价外溢：斯达半导 7 月 1 日起 IGBT、SiC MOSFET 涨价 15% 起；扬杰科技全系列上调 10%–15%，功率半导体开启第二轮调价。
• 业绩兑现：中报季存储、设备龙头业绩集体爆发，"量价齐升＋业绩兑现"成为机构共识，行情进入加速段。

三、8月｜涨价全面扩散，设备链景气"接棒"

• 全品类涨价潮：ST 年内第三轮涨价（8月23日生效）；卓胜微 9 月 1 日起全系列 RF 调价；国民技术部分 MCU 上调 10%–20%；12 英寸硅片确认涨价。车规 IGBT、工业级高端 MCU 部分型号涨幅突破 25%，特种型号年内累计超 30%。
• 设备链景气接棒：中信证券看好国产设备及核心零部件，2026Q3 设备订单景气度进一步提升，未来 2–3 年需求乐观；产业反馈"设备订单能见度已达 80 周以上"；精智达再揽 15.76 亿元大单；中微、拓荆、华海清科密集推进收购与定增。
• 观点转向：上证报调研提示"存储超级周期或将转向结构性行情"——本轮景气并非全品类共振，HBM 高端存储持续紧张，涨价节奏趋缓、细分赛道开始分化。

四、9月（截至中旬）｜多空分歧加大，资金择优

• 最新数据：TrendForce 调查，Q3 常规 DRAM 合约价环比涨 13%–18%、NAND 环比涨 10%–15%（涨幅已较上半年放缓）；HBM 供给更紧，三大原厂 2026 年产能基本被预订。
• 外资多空对峙：

  • 摩根大通：2026 年 DRAM/NAND 混合均价上涨约 250%，2027 年再增 30%/25%；定制芯片 2027 年出货占比将超 GPU。
  • 高盛：市场对存储器担忧过度，重申三星、SK 海力士"买入"，预计 2027 年 HBM 均价再涨 87%/100%。
  • 未来资产证券：SK 海力士 HBM 客户多元化开启，目标价上调至 310 万韩元。
  • 中信里昂（谨慎派）：8-Hi 以上 HBM 堆叠面临热、翘曲、键合良率挑战，对 SK 海力士及中国存储厂商近期需求保持谨慎。
• 国产差距量化：机构测算国产存储与海外差距——NAND 约 1 年、DRAM 约 2 年、HBM 约 3 年；长鑫 HBM3E 试产良率约 25%。同时美光计划 HBM 月产能年底翻倍、HBM4 占比提至 50%，海外扩产提速。
• A股特征：半导体放量大涨、存储领涨，但资金明显"择优"，只认有订单、有供货的企业，纯题材小票被抛弃，结构性行情特征突出。

五、券商核心共识（六条）

六、关键分歧与风险

• 涨价持续性：摩根大通/高盛看多到 2027 年之后；中信里昂对近期需求谨慎（HBM 良率、堆叠工艺难度）。
• 涨价节奏：Q3 环比涨幅已较上半年放缓（TrendForce），"超级周期"或正转向结构性行情。
• 三大外部变量：海外云厂商资本开支、地缘出口管制、海外大厂扩产节奏。
• 波动风险：板块短期涨幅巨大、估值高位，回调风险高；细分赛道景气差异大，选错赛道收益差距明显。