2026碳化硅(SiC)全产业链深度行业研报

一、碳化硅核心材料底层优势

碳化硅是第三代宽禁带半导体核心材料，核心物理性能全面碾压传统硅基：

1. 禁带宽度为硅3倍，耐高压能力大幅提升；

2. 击穿场强达硅10倍，适配800V及以上高压平台；

3. 热导率为硅3倍，散热性能优异，适配高功耗算力设备。

两大核心落地场景价值：

- 新能源汽车：SiC替代硅基IGBT，整车动力系统效率提升5-10pct，800V高压快充标配，单车能耗、充电时长显著优化；

- AI数据中心：英伟达GB300系列自2026年全面切换800V直流供电，碳化硅固态变压器（SST） 是供电架构核心，大幅缩小设备体积、降低电能损耗；同时台积电CoWoS先进封装采用SiC中介层，打开全新增量市场；叠加AR眼镜散热材料需求，形成三重需求共振。

二、行业周期复盘：从价格踩踏到供需反转

1. 2023-2024：产能过剩、价格寒冬

行业粗放扩产引发价格战，6英寸导电型衬底单片价格从万元以上跌至500美元以下，国内价格较海外龙头低40%；中小衬底企业批量出清，海外龙头Wolfspeed主动收缩产能、下调稼动率，全行业盈利承压。

2. 2025Q4至今：三重催化引爆景气拐点

催化1：AI算力成为SiC全新主线（券商定性）

2026.5.20华西证券《SiC深度（二）》首次明确SiC为AI核心赛道，测算2030年仅AI电源衬底需求规模近700亿元，实现8倍增长；Yole预测2024-2030全球SiC晶圆需求CAGR达27%。

催化2：产业链实地验证衬底紧缺

2026.6.9上证报全产业链调研：主流衬底大厂产能利用率超90%，芯片、模组企业交付周期大幅拉长，6英寸衬底价格自底部持续反弹，8英寸衬底止跌上涨。

催化3：终端巨头直接锁上游产能

2026.6.15证券时报报道：英伟达联合核心算力客户直接介入上游衬底材料协调，SiC器件成为AI数据中心SST硬性刚需。

3. 2026核心供需缺口数据（行业核心矛盾）

1. 2026全球SiC衬底有效产能330万片，需求629万片，供需缺口接近50%；

2. 2025年全球8英寸SiC衬底总产量不足40万片，已规划新增8英寸产线年产能243万片，为现有产量7倍以上，短期供给无法匹配需求；

3. 五矿证券预测：2030年全球SiC衬底需求（6英寸等效）1676万片，为2025年需求12倍；

4. 尺寸迭代关键节点：2026年为行业分水岭——6英寸价格底部确认、8英寸批量放量、12英寸衬底完成送样、SiC中介层先进封装落地交付。

4. 需求三重共振逻辑

1. 车规基本盘（稳定刚需）：新能源800V平台、光伏储能、高压充电桩持续渗透，长期托底行业需求；

2. AI算力增量（最强弹性）：SST固态变压器、CoWoS封装SiC中介层开辟千亿级全新市场；

3. AR眼镜散热材料（远期增量）：依托高导热特性打开消费电子长期空间。

三、产业链分层价值逻辑

碳化硅产业链壁垒自上而下逐级降低，衬底为整条链条价值最高、技术壁垒最强环节，成本占器件总成本约50%；器件/IDM代工决定行业规模放量；半导体长晶设备是国产化核心卡脖子环节，行业扩产周期设备订单先行。

四、国内碳化硅全产业链核心企业深度梳理

（一）衬底环节（核心瓶颈，价值核心）

1. 天岳先进｜全球导电型衬底绝对龙头

- 行业地位：导电型SiC衬底全球市占27.6%排名第一，8英寸导电衬底全球市占51.3%；国内唯一实现12英寸全系列衬底（N型导电、P型导电、半绝缘高纯）技术攻关企业；

- 经营数据：2025年SiC产品折合69.04万片，产量同比+68.31%，销量同比+75.33%；

- 业务布局：6英寸大规模量产、8英寸稳定出货、12英寸完成中试送样；同步配套AI头部功率厂商研发数据中心电源芯片，推进台积电SiC interposer先进封装落地；客户覆盖海内外车企、算力器件龙头，长协订单饱满。

2. 天富能源｜控股天科合达，国内衬底双龙头

- 核心逻辑：控股国内本土衬底龙头天科合达，与天岳先进构成国内导电衬底双寡头；

- 业务：天科合达为国内最早实现SiC衬底产业化企业，6英寸衬底大规模供货，8英寸产线持续爬坡，导电型衬底国内市占领先；母公司主营热力、天然气，现金流稳定反哺半导体扩产。

3. 露笑科技｜民营衬底量产新锐

- 业务定位：碳化硅为三大核心主业之一，自研导模法低成本长晶路线；

- 产能产品：合肥基地6英寸导电衬底批量外销，配套新能源车、光伏逆变器；同步自研碳化硅长晶炉，打通晶体生长-衬底加工全环节，8英寸衬底工艺持续迭代，绑定车企长期供货协议。

4. 晶盛机电｜设备+衬底双轮一体化

- 设备端：国内半导体设备龙头，自研SiC PVT长晶设备；

- 材料端：6/8英寸SiC衬底规模化量产，核心参数达行业一流，获下游批量订单；12英寸单晶生长技术突破，中试产线建设、小批量送样；设备+衬底协同降本，全产业链配套优势突出。

（二）IDM一体化全链条企业（衬底-外延-芯片-模组闭环，抗周期能力最强）

1. 基本半导体｜国产SiC IDM标杆

- 模式：国内少数完整IDM企业，覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全流程；

- 产品赛道：车规级SiC MOS、二极管、功率模块全覆盖，全线完成AEC-Q102车规认证；聚焦新能源800V平台、光伏储能、工业电源三大赛道，核心对标英飞凌、罗姆国产替代；自有产线保障交付，适配车规严苛可靠性标准。

2. 三安光电｜国内化合物半导体平台龙头

- 全产业链闭环：国内唯一完整布局SiC衬底→外延→芯片→器件的平台企业，同步布局6、8英寸产线；

- 核心产能：与意法半导体合资建设52万片/年8英寸车规MOS厂，2025年11月完成环保验收；自有6英寸SiC器件月产1.6万片，产品供给比亚迪、理想等头部车企、光伏企业；LED、射频业务提供稳定现金流反哺碳化硅扩产。

3. 士兰微｜功率IDM，SiC产线加速放量

- 产能规划：子公司士兰明镓6英寸SiC产线月产能1万片，当前满产；士兰集宏8英寸SiC产线2025Q4通线，月产能5000片，2026下半年正式投产；同步规划200亿12英寸模拟产线；

- 产品覆盖：硅基分立器件、SiC/GaN功率器件双线并行，下游覆盖光伏、工业、新能源车低压平台，自有制造工艺持续迭代。

4. 时代电气｜央企功率半导体平台

- 背景：中车旗下半导体上市平台，轨道交通功率器件国内市占第一；

- SiC布局：总投资53亿8英寸SiC产线2025年12月通线，新增年产能36万片；依托轨道交通、商用车深厚车规客户资源，SiC器件天然具备下游渠道优势，车规认证体系完善。

（三）晶圆代工环节

芯联集成｜SiC MOSFET专业代工先锋

国内领先功率系统代工厂，8英寸SiC MOSFET产线已规模量产，月产能2000片；覆盖晶圆制造、模组封装全流程，代工产品包含SiC芯片、功率模组、驱动芯片，服务无自有产线的设计公司，适配AI电源、车载功率器件代工需求。

（四）上游设备环节（行业“卖铲人”，扩产最先受益）

晶升股份｜SiC长晶炉国产龙头

- 产品矩阵：覆盖6-12英寸全规格PVT、液相法碳化硅单晶炉，同步配套硅单晶炉；

- 行业地位：国内SiC长晶炉市占领先，客户覆盖三安光电、比亚迪、天岳先进等主流衬底厂商，实现中国台湾地区批量交付；产业链扩产周期设备订单先行，充分受益衬底大厂扩产潮。

五、行业核心风险提示

1. 产能释放节奏风险：8/12英寸衬底扩产集中落地，远期若AI、新能源车需求不及预期，或再度进入产能过剩周期；

2. 海外巨头竞争：Wolfspeed、英飞凌、罗姆持续加码SiC产能，高端车规衬底、器件仍存在技术差距；

3. 价格波动风险：6英寸低端衬底产能冗余，价格反弹持续性存疑；

4. 技术迭代风险：新型长晶工艺、第三代SiC器件技术路线迭代，存在企业技术路线淘汰风险；

5. 本文仅基于公开行业信息整理，用于产业学习研讨，不构成任何投资建议、交易操作指引与收益承诺。