2026年，碳化硅（SiC）产业正经历从“野蛮生长”向“精耕细作”的关键转型。行业在经历2024-2025年的价格战后，于2026年初迎来供需格局改善与价格触底反弹。AI数据中心作为继新能源汽车之后的第二增长极，正以远超预期的速度拉动高功率密度电源需求，推动行业进入“EV基本盘+AI新引擎”的双轮驱动时代。全球竞争格局重塑，中国企业凭借技术突破与成本优势实现弯道超车，其中天岳先进以27.6%的全球市占率登顶导电型衬底市场第一。8英寸衬底大规模量产元年已至，技术迭代与成本下降将开启新一轮增长周期。

一、 全球竞争格局：中国力量崛起，龙头地位确立

1.1 市场集中度与头部玩家

全球碳化硅衬底市场已形成“一超多强”的竞争格局。根据日本富士经济2026年3月发布的数据，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额达到27.6%，位居全球第一，超越传统巨头Wolfspeed。其中，在代表未来方向的8英寸产品细分市场，天岳先进更是以51.3%的绝对市场份额占据统治地位。

1.2 国际巨头动态：战略调整与业务聚焦

• Wolfspeed：经历破产重整后，战略聚焦于8英寸平台与AI数据中心高价值市场。其2026财年第三季度财报显示，AI数据中心相关业务环比增长约30%，成为新的增长引擎。公司推出了业内首款商用10kV SiC MOSFET，并探索300mm SiC在先进封装中的应用。

• 意法半导体与英飞凌：凭借IDM模式与车企深度绑定，持续扩大产能。意法半导体目标在2026年底将碳化硅晶圆产能提升至50万片/年。

• 三星电子：已正式重启碳化硅业务，计划2028年实现8英寸SiC晶圆量产，瞄准车规与工业市场，为行业增添新变量。

1.3 国内产业梯队：从材料到设备的全面突破

中国碳化硅产业已形成从衬底、外延、器件到设备、应用的完整产业链，并在多个环节实现全球领先。

• 衬底环节：天岳先进（龙头）、天科合达、烁科晶体等已实现8英寸量产。同光股份、乾晶半导体等第二梯队厂商加速跟进。

• 设备环节：晶升股份作为核心“铲子股”，其SiC长晶炉在中国台湾地区市占率高，有望在CoWoS的SiC应用中重点受益。公司当前SiC在手订单已是去年全年营收两倍，直接受益于行业扩产潮。

• 器件/IDM环节：三安光电（与意法合资）、士兰微、华润微、比亚迪半导体等均已推出车规级产品并导入头部车企。

二、 技术路径与先进程度排名

2.1 三大技术路径对比

碳化硅衬底生长主要有物理气相传输法（PVT）、液相法（TSSG/LPE）和高温化学气相沉积法（HTCVD）三种技术路线。

技术先进性排名（衬底领域）：

1. 天岳先进：凭借液相法在8英寸高质量衬底上实现量产突破，良率已达70%-80%，并全球首发12英寸全系列衬底产品，技术领先全球一代。

2. Wolfspeed：PVT法奠基者，在8英寸量产和12英寸研发上保持领先，但面临良率爬坡和成本压力。

3. 日本住友电工：液相法另一领导者，但产业化规模和速度不及天岳先进。

4. 天科合达/烁科晶体：国内PVT法领先企业，8英寸量产进程紧跟头部。

2.2 尺寸迭代：8英寸量产定胜负，12英寸已见曙光

2026年是8英寸碳化硅衬底大规模量产的“元年”。相比6英寸，8英寸晶圆单片芯片产出数量增加近90%，制造成本降低约35%，是行业降本增效、摆脱低端价格战的关键。

• 量产进度：天岳先进8英寸产品收入占比已从2024年的30%提升至2025年的44%。三安光电、士兰微等国内厂商8英寸产线均已进入试产或量产爬坡阶段。

• 未来方向：Wolfspeed、天岳先进均已制备出12英寸（300mm）SiC晶圆样品，为下一代技术竞争储备。

三、 市场需求、价格趋势与业绩弹性

3.1 需求结构：从“EV单支柱”到“EV+AI双轮驱动”

• 电动汽车（EV）基本盘：800V高压平台从高端车型下沉至20万元级主流市场，带动单车SiC用量提升。预计2026年全球新能源汽车SiC渗透率将突破45%。尽管EV销量增速放缓，但结构性升级支撑需求稳定。

• AI数据中心第二增长极（核心新增量）：这是2026年行业最大的预期差和增长引擎。AI服务器单机柜功耗从10kW飙升至100kW以上，传统硅基电源效率遭遇瓶颈。SiC器件凭借高耐压、低损耗特性，成为800V高压直流（HVDC）架构服务器电源的唯一成熟选择。

• 巨头动态：英伟达计划在Rubin平台引入SiC替代硅中介层，并采用台积电CoWoS封装；微软、谷歌、亚马逊等云服务商新建数据中心已明确采用基于SiC的电源架构。

• 市场空间：机构预测，AI数据中心对SiC的需求增速最快，有望在2026-2027年爆发。安森美（onsemi）指出，下一代1MW AI机柜的功率半导体价值量从5万美元翻倍至10万美元。

3.2 价格趋势：触底反弹，结构性分化

经历2024-2025年的惨烈价格战后，2026年初碳化硅衬底价格迎来确定性拐点。

• 6英寸产品：价格战彻底结束，明确触底反弹。以D级通用工业级衬底为例，价格从2025年末的2300元/片低点，反弹至2026年4月的约4900元/片，累计涨幅超110%。

• 8英寸产品：价格止跌企稳并进入回升通道。车规级8英寸衬底价格在5550-5780元/片区间企稳并小幅上涨。由于良率提升、成本下降，8英寸产品的盈利能力显著优于6英寸。

• 结构性分化：车规级产品因认证壁垒高，价格抗跌性和修复能力远强于通用散货。天岳先进车规级产品出货占比超85%，充分受益于此趋势。

3.3 业绩弹性：龙头率先回暖，设备环节弹性最大

• 材料龙头（天岳先进）：2026年第一季度毛利率由负转正至19.12%，环比大幅提升25.01个百分点，显示其成本控制与产品结构优化成效显著。作为全球衬底龙头，将最大程度享受行业量价齐升红利。

• 国际龙头（Wolfspeed）：尽管公司整体仍处亏损，但AI数据中心业务营收过去三个季度实现翻倍，环比增长约30%，成为黯淡财报中的唯一亮点。显示高附加值AI业务对业绩的拉动作用。

• 设备核心（晶升股份）：作为SiC长晶炉龙头，是行业扩产的“卖水人”。公司透露当前SiC在手订单已是去年全年营收两倍，业绩弹性将在设备交付确认后集中释放。其在中国台湾地区的高市占率，使其有望深度受益于台积电CoWoS先进封装中对SiC载板的需求。

• 行业整体：随着价格回暖、AI需求爆发，碳化硅板块上市公司业绩有望在2026年第二季度起迎来环比持续改善。

四、 未来展望与投资逻辑

4.1 核心结论

1. 周期反转确认：价格战结束，6英寸价格反弹、8英寸价格企稳，行业最黑暗时刻已过。

2. 成长逻辑切换：需求驱动从“新能源汽车”单一主线，切换为“新能源汽车（稳健基本盘）+ AI数据中心（爆发新引擎）”双轮驱动，市场空间与估值体系重塑。

3. 国产替代加速：中国企业在全球衬底市场已取得份额第一，在8英寸等先进技术节点实现领先，从“跟跑”进入“并跑”甚至“领跑”阶段。

4. 技术迭代定格局：8英寸量产能力是当前竞争分水岭，12英寸研发是未来制高点。拥有液相法等先进技术、良率控制好的企业将建立长期护城河。

4.2 风险提示

1. 产能扩张过快风险：若企业盲目扩产，可能再次引发供需失衡。

2. 技术迭代风险：硅基器件（如IGBT）技术改进或新材料（如金刚石）突破，可能对SiC中长期需求构成挑战。

3. 下游需求不及预期风险：AI数据中心建设进度、新能源汽车销量若不及预期，将影响行业景气度。

4. 国际贸易政策风险：全球半导体产业供应链可能受到地缘政治因素干扰。

（本报告基于公开信息整理，不构成任何投资建议。）